Charakterizácia fotodiód na báze InGaAs(P)/InP
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | , |
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Lingua: | slovacco |
| Pubblicazione: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2002
|
| Soggetti: | |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi: Charakterizácia fotodiód na báze InGaAs(P)/InP
- Optoelektronické prvky na báze polovodičových heteroštruktúr InGaAs(P)/InP : Habil.práca : Obh. 12.12.1995 /
- Lavínová fotodióda s oddelenou absorpčnou nábojovou a násobiacou vrstvou na báze InGaAs/InP : Ved. od. 26-13-9. Obh. 10.3.2006
- Detekcia ionizujúceho žiarenia polovodičovými detektormi na báze GaAs a InP : V. odb. 26-13-9. Obhajoba 11.10.2001
- Problematika prípravy fotodetektorov na báze InP : Kand.diz.práca : V.odb. 16-10-9 : Obh. 12.10.1981 : Projekt III-7-2/06 /
- Investigations of GaNxP1-x and InGa(Al)P based active layers for light emitting diode structures directly grow on GaP substrate = Výskum a charakterizácia vlastností GaNxP1-x a In1-x-y(Ga1-x(Alx)yP aktívnych oblastí pre elektroluminiscenčné diódy pripravených na GaP substráte : č.ved.odb. 26-13-9, Obh. 10.11.2005
- Fotodetektory na báze heteropriechodov InGaAsp/InP : Habil.práca : Obh. 26.06.1994 /