Základní procesy růstu monokrystalů pro optoelektroniku
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Format: | Livre |
| Langue: | tchèque |
| Publié: |
Praha :
Academia,
2003
|
| Sujets: | |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: Základní procesy růstu monokrystalů pro optoelektroniku
- Príprava a vlastnosti homo- a heteropriechodov na báze InP pre optoelektroniku : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 22.09.1983 /
- Properties of III - V quantum wells and superlattices
- Properties of gallium arsenide
- Molekulárna zväzková epitaxia a analyzačná technika RHEED: teória a simulácia = Molecular beam epitaxy and RHEDD technique: theory and simulation : Dizertačná práca : Obh. 16.01.1997 /
- Third Bratislava days on molecular beam epitaxy : International Worshop : Konf. MBE, Bratislava, Slovak Republic, 16.- 17. May 1996 /
- Semiconductor technologies