Optická charakterizácia GaSb : Ved.odb. 26-13-9. Obh. 18.06.2003
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Lenguaje: | eslovaco |
| Publicado: |
Bratislava :
Elektrotechnický ústav SAV,
2002
|
| Materias: | |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Optická charakterizácia GaSb :
- Double-heterostructure AlGaAs/GaAs lasers = AlGaAs/GaAs lasery s dvojitým heteropriechodom : V. odb. 26-13-9. Obhajoba 04. 04. 2002
- Fotodetektory na báze heteropriechodov InGaAsp/InP : Habil.práca : Obh. 26.06.1994 /
- Moderní učebnice elektroniky. 3. díl. Optoelektronika a optoelektrociké prvky : LED, laserová dioda, fotodioda...
- Light-emitting devices based on ultra-thin GaAs layers in active MQW region = Emitujúce prvky na báze ultratenkých GaAs vrstiev v aktívnej MQW oblasti : V.odb. 26-13-9. Obhajoba 20.12.2000
- Pulzná laserová depozícia LSMO
- Pulzná laserová depozícia MgO