Príspevok k štúdiu GaAs a jeho homológov : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 14.12.1995 /
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Autres auteurs: | , |
| Format: | Manuscrit Livre |
| Publié: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
1995
|
| Sujets: | |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: Príspevok k štúdiu GaAs a jeho homológov :
- Epitaxný rast GaAs a LT GaAs vrstiev z molekulárnych zväzkov a charakterizácia ich vlastností : Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 06.06.2006
- Physical properties of III-V semiconductor compounds : InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs, and INGaAsP /
- III-IV quantum system research
- Properties of gallium arsenide
- Light-emitting devices based on ultra-thin GaAs layers in active MQW region = Emitujúce prvky na báze ultratenkých GaAs vrstiev v aktívnej MQW oblasti : V.odb. 26-13-9. Obhajoba 20.12.2000
- Príprava GaAs/InGaP kvantových drôtov MOVPE rastom na tvarovaných podložkách : V. odb. 26-13-9. Obh. 01.03.2001