Vplyv hlbokého leptania okolo kontaktov na vlastnosti radiačného detektora na báze GaAs
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | , , |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Lenguaje: | eslovaco |
| Publicado: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2004
|
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Vplyv hlbokého leptania okolo kontaktov na vlastnosti radiačného detektora na báze GaAs
- Štúdium radiačného poškodenia detektorov ionizujúceho žiarenia na báze semiizolačného GaAs
- Štúdium vlastností semiizolačného GaAs detektora rtg. žiarenia pre digitálnu rádiografiu
- Vplyv elektród semiizolačného GaAs detektora RTG. žiarenia na vybrané charakteristiky
- Výskum heterogénnych štruktúr na báze GaAs
- Detektory rýchlych neutrónov na báze GaAs
- Vyhodnotenie plošného rozloženia zberovej účinnosti GaAs detektora ionizujúceho žiarenia = Semi-insulating GaAs based detector of ionising radiation : Dipl.práca