Diagnostika kvality polovodičových štruktúr nerovnovážnymi kapacitnými metódami : Habil.práca : Obh. 03.09.1996 /

Guardado en:

Detalles Bibliográficos
Autor principal:	Harmatha, Ladislav, 1948- (Autor)
Formato:	Manuscrito Libro
Publicado:	Bratislava : STU v Bratislave FEI, 1996
Materias:	polovodičové štruktúry fyzika polovodičov MIS štruktúry MOS štruktúry kapacitné meracie metódy DLTS
Etiquetas:	Agregar Etiqueta Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!

View in STU Opac

Ejemplares similares: Diagnostika kvality polovodičových štruktúr nerovnovážnymi kapacitnými metódami :

Vista rápida
Simulácia, meranie a vyhodnocovanie koncentračných profilov prímesí v polovodičových štruktúrach : Habil.práca : Obh. 03.09.1996 /
Vista rápida
Analýza kinetiky procesov v polovodičových štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín : Kand.diz.práca : Obh. 24.09.1996 /
Vista rápida
Diagnostika kvality polovodičových štruktúr a prvkov
Vista rápida
Analýza polovodičových štuktúr metódami rastovacej elektrónovej mikroskopie : Obh. 3.2.2004
Vista rápida
Elektrická charakterizácia polovodičových štruktúr a prvkov metódou DLTS
Vista rápida
Využitie povrchovej akustickej vlny na vyšetrovanie hlbokých prímesových hladín : Kand.diz.práca : V.odb. 26-06-9 : Obh. 06.09.1994 /
Vista rápida
Skúmanie vlastností rozhrania izolant - polovodič vodivostnou metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.03.1984 : Projekt III-4-3-2/2 /
Vista rápida
Defects in High-k Gate Dielectric Stacks : Nano-Electronic Semiconductor Devices
Vista rápida
Polovodičové štruktúry : Návody na cvičenia a prípravu projektov
Vista rápida
Elektrická charakterizácia polovodičových štruktúr a prvkov
Vista rápida
Optimalizácia vybraných vlastností rozhrania izolant - arzenid gália : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 15.02.1996 /
Vista rápida
Niektoré technologické a fyzikálne problémy štruktúr MIS : Dokt.diz.práca : Projekt III-3-3/1,III-4-3/2,III-6-1/13,III-7-2/04,III-2-3/17,III-3-3/1 /
Vista rápida
Integrálna transportná teória prenosu prúdu v štruktúrach kov-polovodič-kov : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 12.01.1995 /
Vista rápida
Charakterizácia polovodičových štruktúr : Ved.odb. 26-13-9. Obh. 03.09.2003
Vista rápida
Quantom heterostructures : Microelectronics and optoelectronics
Vista rápida
Elektrofyzikálne vlastnosti kremíkových štruktúr ožiarených rýchlymi neutrónmi pri vysokých fluenciách : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 18.12.1995 /
Vista rápida
Svetlom podporované chemické leptane polovodičových štruktúr na báze AIGaN/GaN
Vista rápida
Výskum vlastností štruktúry MIS v nerovnovážnom stave kapacitnou metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 07.03.1984 /
Vista rápida
The physics of low-dimensional semiconductors an introdution
Vista rápida
Optoelektronické prvky na báze polovodičových heteroštruktúr InGaAs(P)/InP : Habil.práca : Obh. 12.12.1995 /
Vista rápida
Characterization of electrical properties of Schottky structures supported by modelling and simulation = Charakteristika elektro fyzikálnych vlastností Schottkyho štruktúr podporená modelovaním a simuláciou : Dok.diz.práca. Dát. obhaj. 15.12.1998, Č.ved.odb.: 26-11-9
Vista rápida
Teplotne simulované iónové prúdy v izolačných vrstvách štruktúr MIS : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 12.03.1986 : Projekt III-6-1/13 /
Vista rápida
Príprava a diagnostika štruktúr MIS pre novú generáciu unipolárnych prvkov : Ved.odb. 26-13-9. Obh. 10.3.2006
Vista rápida
Vlastnosti rozhrania polovodič-izolačná vrstva štruktúry MIS skúmané kvázistatickou C-U metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 16.09.1985 : Projekt III-4-3/2,III-6-1/13 /