Radiačné poškodenie GaAs detektorov ionizujúceho žiarenia : Č. ved. odb. 26-35-9. Dát. obhaj. 29.06.2005
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Lenguaje: | eslovaco |
| Publicado: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2004
|
| Materias: | |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Radiačné poškodenie GaAs detektorov ionizujúceho žiarenia :
- Detekcia ionizujúceho žiarenia polovodičovými detektormi na báze GaAs a InP : V. odb. 26-13-9. Obhajoba 11.10.2001
- Detection properties of radiation imaging detectors based on semi-insulating GaAs = Detekčné vlastnosti radiačných detektorov pre digitálne zobrazovanie na báze semiizolačného GaAs : č. ved. odb. 26-35-9. Dát. obhj. 7.12.2005
- Polovodičové detektory rýchlych neutrónov vo vysokoteplotnej plazme na báze GaAs
- Vplyv elektród semiizolačného GaAs detektora RTG. žiarenia na vybrané charakteristiky
- Semiconductor radiation detectors
- Detektory rýchlych neutrónov na báze GaAs