SiO2 in Si Microdevices

Uložené v:

Podrobná bibliografia
Hlavný autor:	Itsumi, Manabu (Autor)
Médium:	Kniha
Jazyk:	English
Vydavateľské údaje:	Berlin : Tokyo : Springer Verlag ; Kodansha, 2002
Predmet:	integrované obvody polovodičové materiály polovodičové štruktúry Kremík
Tagy:	Pridať tag Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!

View in STU Opac

Podobné jednotky: SiO2 in Si Microdevices

Quick Look
Introduction to digital microelectronic circuits
Quick Look
Nanometer CMOS
Quick Look
The Art of Analog Layout
Quick Look
Tvorba návrhových pravidiel IO CMOS : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 30.11.1994 /
Quick Look
Analysis and simulation of heterostructure devices
Quick Look
Semiconductor Optics
Quick Look
Microelectronics : an integrated approach
Quick Look
50 rokov od objavu tranzistora : Bratislava, SR. 17. Dec. 1997
Quick Look
Niektoré technologické a fyzikálne problémy štruktúr MIS : Dokt.diz.práca : Projekt III-3-3/1,III-4-3/2,III-6-1/13,III-7-2/04,III-2-3/17,III-3-3/1 /
Quick Look
Light-emitting devices based on ultra-thin GaAs layers in active MQW region = Emitujúce prvky na báze ultratenkých GaAs vrstiev v aktívnej MQW oblasti : V.odb. 26-13-9. Obhajoba 20.12.2000
Quick Look
Fundamentals of modern VLSI devices
Quick Look
Handbook of Microlithography, Micromachining, and Microfabrication. Vol. 1 : Microlithography
Quick Look
Properties of III - V quantum wells and superlattices
Quick Look
Low-power HF microelectronics a unified approach
Quick Look
Electronic devices and circuits /
Quick Look
Integrálna transportná teória prenosu prúdu v štruktúrach kov-polovodič-kov : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 12.01.1995 /
Quick Look
The physics of low-dimensional semiconductors an introdution
Quick Look
Elektrofyzikálne vlastnosti kremíkových štruktúr ožiarených rýchlymi neutrónmi pri vysokých fluenciách : Kand.diz.práca : V.odb. 26-11-9 : Obh. 18.12.1995 /
Quick Look
Polovodičové štruktúry : Návody na cvičenia a prípravu projektov
Quick Look
Semiconductor technologies
Quick Look
Quantom heterostructures : Microelectronics and optoelectronics
Quick Look
Diagnostika kvality polovodičových štruktúr a prvkov
Quick Look
Properties of gallium arsenide
Quick Look
Vlastnosti rozhrania polovodič-izolačná vrstva štruktúry MIS skúmané kvázistatickou C-U metódou : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 16.09.1985 : Projekt III-4-3/2,III-6-1/13 /