Rozvoj metód návrhu nízkopríkonových IO a získavania energie priamo na čipe : dát. obhaj. 28.11.2016, č. ved. odboru 5-2-13
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2016
|
| Predmet: | |
| On-line prístup: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=130782 |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Rozvoj metód návrhu nízkopríkonových IO a získavania energie priamo na čipe :
- Návrh testovacej dosky pre IO s ultra-nízkym napájacím napätím
- Príspevok k ultra nízkonapäťovým a nízkopríkonovým systémom na čipe
- Simulácia a modelovanie elektrických vlastností MOS tranzistora zabudovaného do DPS
- Analýza a optimalizácia vlastností MOS tranzistora namáhaného cyklickým výkonovým testom za podpory simulácií
- Nové technológie a ich využitie v GaN HEMT tranzistoroch : dát. obhaj. 30.11.2016, č. ved. odboru 5-2-13
- Diagnostika štruktúr MOS vodivostnou metódou