Elektrické vlastnosti nových pamäťových elementov na základe odporového prepínania
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Manuskript Buch |
| Sprache: | Slowakisch |
| Veröffentlicht: |
2017
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=131093 |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
MARC
| LEADER | 00000ntm a22000003a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | stuzp41375 | ||
| 003 | SK-STU | ||
| 005 | 20170726123125.8 | ||
| 007 | ta | ||
| 008 | 150427s2015----xo-----f-mn---000-0-slo-d | ||
| 040 | |a STU |b slo | ||
| 041 | 0 | |a slo | |
| 044 | |a xo | ||
| 100 | 1 | |a Rychlý, Michal |u 032000 |4 aut |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav elektroenergetiky a aplikovanej elektrotechniky |X 9045 |U E020 |Y 548 |7 9045 | |
| 242 | 0 | 1 | |a Electrical properties of New Memory Elements based on Resistive switching |y eng |
| 245 | 1 | 0 | |a Elektrické vlastnosti nových pamäťových elementov na základe odporového prepínania |
| 260 | |c 2017 | ||
| 300 | |a 39 s. | ||
| 650 | 4 | |a RRAM |2 slo | |
| 650 | 4 | |a Odporové prepínanie |2 slo | |
| 650 | 4 | |a pamäte |2 slo | |
| 650 | 4 | |a Resistive switching |2 eng | |
| 650 | 4 | |a memory |2 eng | |
| 650 | 4 | |a RRAM |2 eng | |
| 700 | 1 | |a Váry, Michal |u 032000 |k Z1 |4 ths |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav elektroenergetiky a aplikovanej elektrotechniky |X 2970 |U E020 |Y 548 |7 A000002970 | |
| 856 | 4 | |u http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=131093 | |
| 996 | |b 284ER02419 |c E*Bc- 2419 |l EE32 |s P |a 0 |w stuzp41375_0001 | ||