Vplyv vysokoenergetických elektrónov na vlastnosti polovodičového detektora
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
2016
|
| Predmet: | |
| On-line prístup: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=131303 |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Vplyv vysokoenergetických elektrónov na vlastnosti polovodičového detektora
- Radiačná odolnosť polovodičových detektorov
- Výskum a charakterizácia MQW heteroštrultúr pre QWIP detektory pripravené na tvarovaných substrátoch GaAs : Obh. 15.06.2006
- Polovodičové detektory ionizujúceho žiarenia
- Štúdium vlastností semiizolačného GaAs detektora rtg. žiarenia pre digitálnu rádiografiu
- Vplyv elektród semiizolačného GaAs detektora RTG. žiarenia na vybrané charakteristiky
- Fabrication of GaAs Devices