Citáce podľa APA (7th ed.)
Válik, L., & Harmatha, L. (2015). Charakterizácia MOS heteroštruktúr na báze GaN pre bezpečné obohacovacie tranzistory.
Citácia podle Chicago (17th ed.)
Válik, Lukáš, a Ladislav Harmatha. Charakterizácia MOS Heteroštruktúr Na Báze GaN Pre Bezpečné Obohacovacie Tranzistory. 2015.
Citácia podľa MLA (8th ed.)
Válik, Lukáš, a Ladislav Harmatha. Charakterizácia MOS Heteroštruktúr Na Báze GaN Pre Bezpečné Obohacovacie Tranzistory. 2015.
Upozornenie: Tieto citáce sú generované automaticky. Nemusia byť úplne správne podľa citačných pravidiel..