Charakterizácia MOS heteroštruktúr na báze GaN pre bezpečné obohacovacie tranzistory

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Detalhes bibliográficos
Autor principal:	Válik, Lukáš (Author)
Outros Autores:	Harmatha, Ladislav (Thesis advisor)
Formato:	Manuscrito Livro
Idioma:	eslovaco
Publicado em:	2015
Assuntos:	GaN heteroštruktúra hustota stavov rozhrania rozloženie náboja v oxide Heterostructure Interface states density Oxide charge distribution
Acesso em linha:	http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=111662
Tags:	Adicionar Tag Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!

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