Charakterizácia vlastností moderných polovodičových štruktúr a prvkov optickými metódami
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
2018
|
| Predmet: | |
| On-line prístup: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=124140 |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
MARC
| LEADER | 00000ntm a22000003a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | stuzp66409 | ||
| 003 | SK-STU | ||
| 005 | 20181008091454.8 | ||
| 007 | ta | ||
| 008 | 150427s2015----xo-----f-mn---000-0-slo-d | ||
| 040 | |a STU |b slo | ||
| 041 | 0 | |a slo | |
| 044 | |a xo | ||
| 100 | 1 | |a Vincze, Tomáš |u 033000 |4 aut |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky |X 80712 |U E030 |Y 549 |7 80712 | |
| 242 | 0 | 1 | |a Characterization of Modern Semiconductor Structures and Devices Properties Using Optical Methods |y eng |
| 245 | 1 | 0 | |a Charakterizácia vlastností moderných polovodičových štruktúr a prvkov optickými metódami |
| 260 | |c 2018 | ||
| 300 | |a 28 s., |b CD-ROM | ||
| 650 | 4 | |a gallium phosphide |2 eng | |
| 650 | 4 | |a Raman spektroscopy |2 eng | |
| 650 | 4 | |a silicon Si |2 eng | |
| 650 | 4 | |a Galium fosfid GaP |2 slo | |
| 650 | 4 | |a kremík Si |2 slo | |
| 650 | 4 | |a Ramanova spektroskopia |2 slo | |
| 700 | 1 | |a Kováč, Jaroslav |u 033000 |k Z1 |4 ths |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky |X 42526 |U E030 |Y 549 |7 A000042526 | |
| 856 | 4 | |u http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=124140 | |
| 996 | |b 284ER02584 |c E*Bc- 2584 |l EE33 |s P |a 0 |w stuzp66409_0001 | ||