Skúmanie elektricky aktívnych porúch v MOS štruktúrach na báze čierneho kremíka

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Svitač, Erik (Verfasst von)
Weitere Verfasser: Kósa, Arpád (Betreuung Doktorarbeit)
Format: Manuskript Buch
Sprache:Slowakisch
Veröffentlicht: 2019
Schlagworte:
Online-Zugang:http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=144607
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!

MARC

LEADER 00000ntm a22000003a 4500
001 stuzp67741
003 SK-STU
005 20190624133837.8
007 ta
008 150427s2015----xo-----f-mn---000-0-slo-d
040 |a STU  |b slo 
041 0 |a slo 
044 |a xo 
100 1 |a Svitač, Erik  |u 033000  |k Z4  |4 aut  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky  |X 74918  |U E030  |Y 549  |7 74918 
242 0 1 |a Investigation of the Electrically Active Defects in the MOS Structure Based on Black Silicon  |y eng 
245 1 0 |a Skúmanie elektricky aktívnych porúch v MOS štruktúrach na báze čierneho kremíka 
260 |c 2019 
300 |a 61 s.,  |b CD-ROM 
650 4 |a DLTFS  |2 slo 
650 4 |a elektrochemické leptanie  |2 slo 
650 4 |a DLTS  |2 slo 
650 4 |a čierny kremík  |2 slo 
650 4 |a chemické leptanie  |2 slo 
650 4 |a DLTS  |2 eng 
650 4 |a DLTFS  |2 eng 
650 4 |a black silicon  |2 eng 
650 4 |a chemical etching  |2 eng 
650 4 |a electrochemical etching  |2 eng 
700 1 |a Kósa, Arpád  |u 033000  |k Z8  |4 ths  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky  |X 50249  |U E030  |Y 549  |7 A000050249 
856 4 |u http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=144607 
996 |b 284EP12171  |c E*DIPL- 12171  |l EE33  |s P  |a 0  |w stuzp67741_0001