Style de citation APA (7e éd.)
Pohorelec, O., & Gregušová, D. (2023). Hole Channel GaN-based Transistor for Power Electronics: Dátum obhajoby 23.8.2023. STU v Bratislave FEI.
Style de citation Chicago (17e éd.)
Pohorelec, Ondrej, et Dagmar Gregušová. Hole Channel GaN-based Transistor for Power Electronics: Dátum Obhajoby 23.8.2023. Bratislava: STU v Bratislave FEI, 2023.
Style de citation MLA (9e éd.)
Pohorelec, Ondrej, et Dagmar Gregušová. Hole Channel GaN-based Transistor for Power Electronics: Dátum Obhajoby 23.8.2023. STU v Bratislave FEI, 2023.
Attention : ces citations peuvent ne pas être correctes à 100%.