Hole Channel GaN-based Transistor for Power Electronics : dátum obhajoby 23.8.2023

Uložené v:

Podrobná bibliografia
Hlavný autor:	Pohorelec, Ondrej (Autor)
Ďalší autori:	Gregušová, Dagmar (Vedúci práce)
Médium:	Rukopis Kniha
Jazyk:	Slovak English
Vydavateľské údaje:	Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2023
Predmet:	normally-off tranzistor Mg dopovanie nestability VTH InAlN 2DHG normally-off transistor Mg doping VTH instabilities
On-line prístup:	https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildOUDF8&sid=8BA438E6D9CA2A91CF2CAAA27666&seo=CRZP-detail-kniha
Tagy:	Pridať tag Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!

View in STU Opac

Internet