Testovanie výkonových SiC MOSFET tranzistorov v podmienkach skratu
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Lenguaje: | eslovaco |
| Publicado: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2021
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=7E417B54B864B7C45D2AFB4635AB&seo=CRZP-detail-kniha |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Testovanie výkonových SiC MOSFET tranzistorov v podmienkach skratu
- Skúmanie odolnosti výkonových tranzistorov v podmienkach SC a UIS testu
- Skúmanie defektov v polovodičových štruktúrach na báze SiC
- Registrácia ionizujúceho žiarenia SiC detektorom
- Modelovanie a simulácia SiC MOSFET tranzistora v podmienkach UIS testu
- Štúdium vplyvu chemického zloženia na vlastnosti keramického kompozitu Si3N4+SiC
- Parametre porúch v polovodičových štruktúrach