Testovanie výkonových SiC MOSFET tranzistorov v podmienkach skratu
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Autres auteurs: | |
| Format: | Manuscrit Livre |
| Langue: | slovaque |
| Publié: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2021
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=7E417B54B864B7C45D2AFB4635AB&seo=CRZP-detail-kniha |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: Testovanie výkonových SiC MOSFET tranzistorov v podmienkach skratu
- Skúmanie odolnosti výkonových tranzistorov v podmienkach SC a UIS testu
- Skúmanie defektov v polovodičových štruktúrach na báze SiC
- Registrácia ionizujúceho žiarenia SiC detektorom
- Modelovanie a simulácia SiC MOSFET tranzistora v podmienkach UIS testu
- Štúdium vplyvu chemického zloženia na vlastnosti keramického kompozitu Si3N4+SiC
- Parametre porúch v polovodičových štruktúrach