Simulácia a modelovanie vlastností výkonového MOS tranzistora pomocou rýchlej 3D elektrotepelnej simulácie

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Bošković, Lazar (Verfasst von)
Weitere Verfasser: Chvála, Aleš (Betreuung Doktorarbeit)
Format: Manuskript Buch
Sprache:Slowakisch
Veröffentlicht: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2023
Schlagworte:
Online-Zugang:https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildI12OHK&sid=D2CDA85DA56256F2733FEA93BC1D&seo=CRZP-detail-kniha
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!