Statistical Simulation of Random Dopant Induced Threshold Voltage Fluctuations for 35 nm Channel Length MOSFET
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| Autres auteurs: | , , , , |
| Format: | Chapitre de livre |
| Langue: | anglais |
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MARC
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| 245 | 1 | 0 | |a Statistical Simulation of Random Dopant Induced Threshold Voltage Fluctuations for 35 nm Channel Length MOSFET |c Urban Kováč, Dave Reid, Campbell Millar, Gareth Roy, Scott Roy, Asen Asenov |
| 100 | 1 | |a Kováč, Urban | |
| 700 | 1 | |a Reid, Dave | |
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