Analýza, návrh a simulácia výkonového bipolárného tranzistora s izolovaným hradlom - IGBT
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | , |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2005
|
| Predmet: | |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Analýza, návrh a simulácia výkonového bipolárného tranzistora s izolovaným hradlom - IGBT
- Interaktívne animácie bipolárneho tranzistora s izolovaným hradlom
- Analýza, návrh a simulácia výkonového tranzistora UMOS
- 2-rozmerná simulácia elektrických vlastností bipolárného tranzistora
- 2/3-rozmerná simulácia NPN bipolárného tranzistora
- Využitie tranzistora s plávajúcim hradlom ako analógovej pamäte : Diplomová práca
- Analysis, design and simulation of the power transistor DMOS = Analýza, návrh a simulácia výkonového tranzistora DMOS