Mikroštruktúra HfO2 a Hf1-xSixOy dielektrických tenkých vrstiev s vysokou permitivitou určených pre moderné CMOS štruktúry
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Autres auteurs: | , |
| Format: | Manuscrit Livre |
| Langue: | slovaque |
| Publié: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2007
|
| Sujets: | |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: Mikroštruktúra HfO2 a Hf1-xSixOy dielektrických tenkých vrstiev s vysokou permitivitou určených pre moderné CMOS štruktúry
- Mikroštruktúra nanokryštalických zliatin typu NANOPERM (Fe1-xCox)76Mo8Cu1B15 v závislosti od pomeru Fe:Co
- Low-power HF microelectronics a unified approach
- Nanometer CMOS
- Meranie teplotných závislostí rezistivity tenkých vrstiev Ru-SiO pre pokročilú CMOS technológiu
- Vlastnosti a užití CMOS obvodů
- Electronic Device Architectures Nano-CMOS Era : From Ultimate CMOS Scaling to Beyond CMOS Devices