Mikroštruktúra HfO2 a Hf1-xSixOy dielektrických tenkých vrstiev s vysokou permitivitou určených pre moderné CMOS štruktúry
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | , |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2007
|
| Predmet: | |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Mikroštruktúra HfO2 a Hf1-xSixOy dielektrických tenkých vrstiev s vysokou permitivitou určených pre moderné CMOS štruktúry
- Mikroštruktúra nanokryštalických zliatin typu NANOPERM (Fe1-xCox)76Mo8Cu1B15 v závislosti od pomeru Fe:Co
- Low-power HF microelectronics a unified approach
- Nanometer CMOS
- Meranie teplotných závislostí rezistivity tenkých vrstiev Ru-SiO pre pokročilú CMOS technológiu
- Vlastnosti a užití CMOS obvodů
- Electronic Device Architectures Nano-CMOS Era : From Ultimate CMOS Scaling to Beyond CMOS Devices