Mikroštruktúra HfO2 a Hf1-xSixOy dielektrických tenkých vrstiev s vysokou permitivitou určených pre moderné CMOS štruktúry
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | , |
| Format: | Manuscript Book |
| Language: | Slovak |
| Published: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2007
|
| Subjects: | |
| Tags: |
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Similar Items: Mikroštruktúra HfO2 a Hf1-xSixOy dielektrických tenkých vrstiev s vysokou permitivitou určených pre moderné CMOS štruktúry
- Mikroštruktúra nanokryštalických zliatin typu NANOPERM (Fe1-xCox)76Mo8Cu1B15 v závislosti od pomeru Fe:Co
- Low-power HF microelectronics a unified approach
- Nanometer CMOS
- Meranie teplotných závislostí rezistivity tenkých vrstiev Ru-SiO pre pokročilú CMOS technológiu
- Vlastnosti a užití CMOS obvodů
- Electronic Device Architectures Nano-CMOS Era : From Ultimate CMOS Scaling to Beyond CMOS Devices