Charakterizácia elektrofyzikálnych vlastností implantovaných štruktúr MOS s tenkými izolačnými vrstvami s vysokou permitivitou
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | , |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Lenguaje: | eslovaco |
| Publicado: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2007
|
| Materias: | |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Charakterizácia elektrofyzikálnych vlastností implantovaných štruktúr MOS s tenkými izolačnými vrstvami s vysokou permitivitou
- Analýza prúdovo-napäťových charakteristík štruktúr MOS s tenkými dielektrickýcmi vrstvami s vysokou dielektrickou konštatantou
- Charakterizácia elektrofyzikálnych procesov v štruktúrach MOS pre pokročilú CMOS technológiu : dát. obhaj. 26.6.2007, čís. ved. odb. 26-13-9
- Analýza vplyvu tepelného spracovania Si MOS štruktúr s veľkou permitivitou oxidu
- Charakterizácia štruktúr MOS pre pokročilú CMOS technológiu
- Charakterizácia štruktúr MOS s dusíkom dotovaným Si substrátom pre unipolárnu vykonovú elektroniku
- Izolačné vlastnosti a prieraz hradlového oxidu štruktúry MOS : Dát. obhaj. 25.02.2010, č. ved. odb. 26-13-9