Charakterizácia a vlastnosti štruktúr typu MIS-HFET na báze GaN : č. ved. odb. 26-13-9, obhaj. 11.6.2008
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | |
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Lingua: | slovacco |
| Pubblicazione: |
Bratislava :
Elektrotechnický ústav SAV,
2008
|
| Soggetti: | |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi: Charakterizácia a vlastnosti štruktúr typu MIS-HFET na báze GaN :
- Elektrická charakterizácia MOS-HFET tranzistorov pripravených na základe GaN
- Chemická analýza heteroštruktúr InGaN/GaN a AlGaN/GaN
- Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT štruktúr na báze GaN/AlxGa1-xN/GaN/AlxGa1-xN/AlN
- Diagnostika šumových vlastností tranzistorov GaN HEMT : dát. obhaj. 27.8.2014, č. ved. odb. 5-2-13
- Charakterizácia vrstiev ZrO2 pre použitie v GaN MOSHFETe
- Tvarovanie GaN mokrým chemickým leptaním