Simulácia elektronických vlastností N-kanálového MOS tranzistora
Guardado en:
| Autores principales: | , |
|---|---|
| Otros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Lenguaje: | eslovaco |
| Publicado: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2008
|
| Materias: | |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Simulácia elektronických vlastností N-kanálového MOS tranzistora
- Modelovanie a simulácia N-kanálového Double RESURF LDMOD tranzistora
- 2-rozmerná simulácia elektrických vlastností bipolárného tranzistora
- Modelovanie a simulácia elektrických vlastností a energetickej odolnosti Trench MOS tranzistora
- Analýza vlastností SiGe heterobipolárneho tranzistora
- 2/3-rozmerná simulácia NPN bipolárného tranzistora
- Návrh modelu a simulácia elektrických vlastností výkonového MOS tranzistora s "DeepTrench" technológiou