Simulácia elektronických vlastností N-kanálového MOS tranzistora
Uložené v:
| Hlavní autori: | , |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2008
|
| Predmet: | |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Simulácia elektronických vlastností N-kanálového MOS tranzistora
- Modelovanie a simulácia N-kanálového Double RESURF LDMOD tranzistora
- 2-rozmerná simulácia elektrických vlastností bipolárného tranzistora
- Modelovanie a simulácia elektrických vlastností a energetickej odolnosti Trench MOS tranzistora
- Analýza vlastností SiGe heterobipolárneho tranzistora
- 2/3-rozmerná simulácia NPN bipolárného tranzistora
- Návrh modelu a simulácia elektrických vlastností výkonového MOS tranzistora s "DeepTrench" technológiou