Simulácia elektronických vlastností N-kanálového MOS tranzistora
Saved in:
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Format: | Manuscript Book |
| Language: | Slovak |
| Published: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2008
|
| Subjects: | |
| Tags: |
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Similar Items: Simulácia elektronických vlastností N-kanálového MOS tranzistora
- Modelovanie a simulácia N-kanálového Double RESURF LDMOD tranzistora
- 2-rozmerná simulácia elektrických vlastností bipolárného tranzistora
- Modelovanie a simulácia elektrických vlastností a energetickej odolnosti Trench MOS tranzistora
- Analýza vlastností SiGe heterobipolárneho tranzistora
- 2/3-rozmerná simulácia NPN bipolárného tranzistora
- Návrh modelu a simulácia elektrických vlastností výkonového MOS tranzistora s "DeepTrench" technológiou