Aplikácia Al2O3 dielektrických vrstviev v technológii tranzistorov a heteropriechodom na báze InAlN/GaN : č.ved.odb.: 26-13-9, dát. obhaj. 1.2.2010
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Manuskript Buch |
| Sprache: | Slowakisch |
| Veröffentlicht: |
Bratislava :
Elektrotechnický ústav SAV,
2009
|
| Schlagworte: | |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge: Aplikácia Al2O3 dielektrických vrstviev v technológii tranzistorov a heteropriechodom na báze InAlN/GaN :
- Analýza prúdovo-napäťových charakteristík štruktúr MOS s tenkými dielektrickýcmi vrstvami s vysokou dielektrickou konštatantou
- Dielectric materials, measurements and applications : Seveth international conference. University of Bath, UK. 23.- 26. Sep. 1996
- Optimalizácia ohmických kontaktov pre InAlN/GaN tranzistory
- Meranie výkonových GaN tranzistorov v podmienkach skratu
- Elektrický prieraz polyetylénovej vrstvovej izolácie v kvapalnom dusíku : Kand.diz.práca : V.odb. 26-01-9 : Obh. 20.10.1983 /
- Výkonové tranzistory MOSFET