Aplikácia Al2O3 dielektrických vrstviev v technológii tranzistorov a heteropriechodom na báze InAlN/GaN : č.ved.odb.: 26-13-9, dát. obhaj. 1.2.2010
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
Elektrotechnický ústav SAV,
2009
|
| Predmet: | |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Aplikácia Al2O3 dielektrických vrstviev v technológii tranzistorov a heteropriechodom na báze InAlN/GaN :
- Analýza prúdovo-napäťových charakteristík štruktúr MOS s tenkými dielektrickýcmi vrstvami s vysokou dielektrickou konštatantou
- Dielectric materials, measurements and applications : Seveth international conference. University of Bath, UK. 23.- 26. Sep. 1996
- Optimalizácia ohmických kontaktov pre InAlN/GaN tranzistory
- Meranie výkonových GaN tranzistorov v podmienkach skratu
- Elektrický prieraz polyetylénovej vrstvovej izolácie v kvapalnom dusíku : Kand.diz.práca : V.odb. 26-01-9 : Obh. 20.10.1983 /
- Výkonové tranzistory MOSFET