Aplikácia Al2O3 dielektrických vrstviev v technológii tranzistorov a heteropriechodom na báze InAlN/GaN : č.ved.odb.: 26-13-9, dát. obhaj. 1.2.2010
Na minha lista:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Outros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Livro |
| Idioma: | eslovaco |
| Publicado em: |
Bratislava :
Elektrotechnický ústav SAV,
2009
|
| Assuntos: | |
| Tags: |
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|
Registos relacionados: Aplikácia Al2O3 dielektrických vrstviev v technológii tranzistorov a heteropriechodom na báze InAlN/GaN :
- Analýza prúdovo-napäťových charakteristík štruktúr MOS s tenkými dielektrickýcmi vrstvami s vysokou dielektrickou konštatantou
- Dielectric materials, measurements and applications : Seveth international conference. University of Bath, UK. 23.- 26. Sep. 1996
- Optimalizácia ohmických kontaktov pre InAlN/GaN tranzistory
- Meranie výkonových GaN tranzistorov v podmienkach skratu
- Elektrický prieraz polyetylénovej vrstvovej izolácie v kvapalnom dusíku : Kand.diz.práca : V.odb. 26-01-9 : Obh. 20.10.1983 /
- Výkonové tranzistory MOSFET