Optimalizácia ohmických kontaktov pre InAlN/GaN tranzistory

Na minha lista:

Detalhes bibliográficos
Autor principal:	Rybakov, Timur (Author)
Outros Autores:	Chvála, Aleš (Thesis advisor)
Formato:	Manuscrito Livro
Idioma:	eslovaco
Publicado em:	Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2025
Assuntos:	testovacie štruktúry naparovanie kovových vrstiev InAlN/GaN heteroštruktúry optimalizácia teploty žíhania predpríprava povrchu elektrické vlastnosti kontaktov leptanie v HCl výrobný proces odprášenie argónovou plazmou surface pre-treatment manufacturing process argon plasma cleaning metal layer deposition annealing temperature optimization electrical properties of contacts HCl etching test structures InAlN/GaN heterostructures
Acesso em linha:	https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildAEEH9L&sid=BA75C2D62745AD5727EF919ED92F&seo=CRZP-detail-kniha
Tags:	Adicionar Tag Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!

View in STU Opac

Internet