Optimalizácia ohmických kontaktov pre InAlN/GaN tranzistory

Uložené v:

Podrobná bibliografia
Hlavný autor:	Rybakov, Timur (Autor)
Ďalší autori:	Chvála, Aleš (Vedúci práce)
Médium:	Rukopis Kniha
Jazyk:	Slovak
Vydavateľské údaje:	Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2025
Predmet:	testovacie štruktúry naparovanie kovových vrstiev InAlN/GaN heteroštruktúry optimalizácia teploty žíhania predpríprava povrchu elektrické vlastnosti kontaktov leptanie v HCl výrobný proces odprášenie argónovou plazmou surface pre-treatment manufacturing process argon plasma cleaning metal layer deposition annealing temperature optimization electrical properties of contacts HCl etching test structures InAlN/GaN heterostructures
On-line prístup:	https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildAEEH9L&sid=BA75C2D62745AD5727EF919ED92F&seo=CRZP-detail-kniha
Tagy:	Pridať tag Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!

View in STU Opac

Internet