Optimalizácia ohmických kontaktov pre InAlN/GaN tranzistory

Enregistré dans:

Détails bibliographiques
Auteur principal:	Rybakov, Timur (Auteur)
Autres auteurs:	Chvála, Aleš (Directeur de thèse)
Format:	Manuscrit Livre
Langue:	slovaque
Publié:	Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2025
Sujets:	testovacie štruktúry naparovanie kovových vrstiev InAlN/GaN heteroštruktúry optimalizácia teploty žíhania predpríprava povrchu elektrické vlastnosti kontaktov leptanie v HCl výrobný proces odprášenie argónovou plazmou surface pre-treatment manufacturing process argon plasma cleaning metal layer deposition annealing temperature optimization electrical properties of contacts HCl etching test structures InAlN/GaN heterostructures
Accès en ligne:	https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildAEEH9L&sid=BA75C2D62745AD5727EF919ED92F&seo=CRZP-detail-kniha
Tags:	Ajouter un tag Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!

View in STU Opac

Internet