Optimalizácia ohmických kontaktov pre InAlN/GaN tranzistory

Salvato in:
Autore principale: Rybakov, Timur (Autore)
Altri autori: Chvála, Aleš (Relatore della tesi)
Natura: Manoscritto Libro
Lingua:slovacco
Pubblicazione: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2025
Soggetti:
testovacie štruktúry
naparovanie kovových vrstiev
InAlN/GaN heteroštruktúry
optimalizácia teploty žíhania
predpríprava povrchu
elektrické vlastnosti kontaktov
leptanie v HCl
výrobný proces
odprášenie argónovou plazmou
surface pre-treatment
manufacturing process
argon plasma cleaning
metal layer deposition
annealing temperature optimization
electrical properties of contacts
HCl etching
test structures
InAlN/GaN heterostructures
Accesso online:https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildAEEH9L&sid=BA75C2D62745AD5727EF919ED92F&seo=CRZP-detail-kniha
Tags: Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!

Accesso online

https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildAEEH9L&sid=BA75C2D62745AD5727EF919ED92F&seo=CRZP-detail-kniha

Documenti analoghi