Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT na báze heteroštruktúr GaN/AlxGa1-xN.
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Autres auteurs: | |
| Format: | Manuscrit Livre |
| Langue: | slovaque |
| Publié: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2010
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | VAIS |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT na báze heteroštruktúr GaN/AlxGa1-xN.
- Simulácia vybraných elektrických vlastností HEMT štruktúr na báze GaN/AlxGa1-xN/GaN/AlxGa1-xN/AlN
- Chemická analýza heteroštruktúr InGaN/GaN a AlGaN/GaN
- Návrh modelu a počítačová simulácia elektrických vlastností InAlN/GaN HEMT
- Diagnostika šumových vlastností tranzistorov GaN HEMT : dát. obhaj. 27.8.2014, č. ved. odb. 5-2-13
- Tvarovanie GaN mokrým chemickým leptaním
- Meranie vybraných parametrov Schottkyho diód na báze AlGaN/GaN