Návrh modelu a simulácia elektrických vlastností výkonového MOS tranzistora s "DeepTrench" technológiou
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | |
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Lingua: | slovacco |
| Pubblicazione: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2011
|
| Soggetti: | |
| Accesso online: | VAIS |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi: Návrh modelu a simulácia elektrických vlastností výkonového MOS tranzistora s "DeepTrench" technológiou
- Modelovanie a simulácia elektrických vlastností a energetickej odolnosti Trench MOS tranzistora
- Diagnostika štruktúr MOS vodivostnou metódou
- Modelovanie MOS tranzistora s plácajúcim hradlom ako pamäťového elementu pre implementáciu neurónových sietí
- Vysoko-výkonové normálne-zatvorené spínacie tranzistory na báze GaN : dát. obhaj. 23.9.2014, č. ved. odb. 5-2-13
- Simulácia a modelovanie elektrických vlastností MOS tranzistora zabudovaného do DPS
- Charakterizácia štruktúr MOS s dusíkom dotovaným Si substrátom pre unipolárnu vykonovú elektroniku