Návrh modelu a simulácia elektrických vlastností výkonového MOS tranzistora s "DeepTrench" technológiou

Salvato in:
Autore principale: Mészáros, Bálint, 1986- (Autore)
Altri autori: Marek, Juraj, 1983- (Relatore della tesi)
Natura: Manoscritto Libro
Lingua:slovacco
Pubblicazione: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2011
Soggetti:
Mikroelektronika
Microelectronics
MOS
Accesso online:VAIS
Tags: Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!

MARC

LEADER 00000ntm a22000003a 4500
001 stu230508
005 20150617230141.5
008 110709s2011----xo------------------slo-d
040 |a STU  |b slo 
041 0 |a slo 
044 |a xo 
100 1 |a Mészáros, Bálint,  |d 1986-  |4 aut  |u E  |T FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |X 28598  |U E  |Y 30  |7 A000028598 
242 0 0 |a Computer simulation power MOSFET transistor with "DeepTrench" technology  |y eng 
245 1 |a Návrh modelu a simulácia elektrických vlastností výkonového MOS tranzistora s "DeepTrench" technológiou 
260 |a Bratislava :  |b STU v Bratislave FEI,  |c 2011 
300 |a 65 s 
650 7 |a Mikroelektronika  |2 stusub 
650 7 |a Microelectronics  |2 estusub 
650 7 |a MOS  |2 stusub 
700 1 |a Marek, Juraj,  |d 1983-  |4 ths  |u E030  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky  |X 24483  |U E030  |Y 549  |7 A000024483 
856 4 |a info a plný text  |u http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=71671  |3 VAIS 
996 |b 284EP09966  |c E*DIPL-9966  |l EE33  |s P  |a 0  |w stu230508_0001 

Documenti analoghi