Návrh modelu a simulácia elektrických vlastností výkonového MOS tranzistora s laterálne vyvedenými kontaktmi.
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Format: | Manuscript Book |
| Language: | Slovak |
| Published: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2011
|
| Subjects: | |
| Online Access: | VAIS |
| Tags: |
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Similar Items: Návrh modelu a simulácia elektrických vlastností výkonového MOS tranzistora s laterálne vyvedenými kontaktmi.
- Simulácia elektrických vlastností MOS tranzistora v SOI technológii
- Návrh modelu a simulácia elektrických vlastností výkonového MOS tranzistora s "DeepTrench" technológiou
- Simulácia elektronických vlastností N-kanálového MOS tranzistora
- Analýza, návrh a simulácia výkonového tranzistora UMOS
- 2-rozmerná simulácia elektrických vlastností bipolárného tranzistora
- Analýza vybraných elektrických vlastností vertikálného Trench MOS tranzistora s podporou modelovania a simulácie