Návrh modelu a simulácia elektrických vlastností výkonového MOS tranzistora s laterálne vyvedenými kontaktmi.
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2011
|
| Predmet: | |
| On-line prístup: | VAIS |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Návrh modelu a simulácia elektrických vlastností výkonového MOS tranzistora s laterálne vyvedenými kontaktmi.
- Simulácia elektrických vlastností MOS tranzistora v SOI technológii
- Návrh modelu a simulácia elektrických vlastností výkonového MOS tranzistora s "DeepTrench" technológiou
- Simulácia elektronických vlastností N-kanálového MOS tranzistora
- Analýza, návrh a simulácia výkonového tranzistora UMOS
- 2-rozmerná simulácia elektrických vlastností bipolárného tranzistora
- Analýza vybraných elektrických vlastností vertikálného Trench MOS tranzistora s podporou modelovania a simulácie