Elektrická charakterizácia Schottkyho štruktúr s heteropriechodom AlGaN/GaN : dát. obhaj. 11.4.2013, č. ved. odb. 5-2-13
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2013
|
| Predmet: | |
| On-line prístup: | VAIS |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Elektrická charakterizácia Schottkyho štruktúr s heteropriechodom AlGaN/GaN :
- Robustné senzory tlaku na báze AlGaN/GaN HEMT pre vysokoteplotné aplikácie : dát. obhaj. 23.5.2013, č. ved. odb. 5-2-13
- Návrh spínaného zdroja napätia s GaN tranzistorom
- Analýza porúch v polovodičových štruktúrach a prvkoch na báze GaN
- SIMS analýza perspektívnych metalizácií AlGaN/GaN štruktúr
- Tvarovanie GaN mokrým chemickým leptaním
- AlGaN/Gan Hemt pre senzorické aplikácie : Dát. obhaj. 24.2.2010, č. ved. odb. 5.2.13