Effect of different Si doping on the defects distribution in the GaN-based structures

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Détails bibliographiques
Auteur principal: Pohorelec, Ondrej (Auteur)
Autres auteurs: Stuchlíková, Ľubica (Directeur de thèse)
Format: Manuscrit Livre
Langue:slovaque
anglais
Publié: 2018
Sujets:
Accès en ligne:http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=137499
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