Effect of different Si doping on the defects distribution in the GaN-based structures
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak English |
| Vydavateľské údaje: |
2018
|
| Predmet: | |
| On-line prístup: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=137499 |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|