Diagnostika šumových vlastností tranzistorov GaN HEMT : dát. obhaj. 27.8.2014, č. ved. odb. 5-2-13
Na minha lista:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Outros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Livro |
| Idioma: | eslovaco |
| Publicado em: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2014
|
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | VAIS |
| Tags: |
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|
Registos relacionados: Diagnostika šumových vlastností tranzistorov GaN HEMT :
- Elektrická charakterizácia MOS-HFET tranzistorov pripravených na základe GaN
- Robustné senzory tlaku na báze AlGaN/GaN HEMT pre vysokoteplotné aplikácie : dát. obhaj. 23.5.2013, č. ved. odb. 5-2-13
- Meranie a analýza elektrických vlastností tranzistorov typu HEMT
- Návrh spínaného zdroja napätia s GaN tranzistorom
- Charakterizácia vrstiev ZrO2 pre použitie v GaN MOSHFETe
- Vysoko-výkonové normálne-zatvorené spínacie tranzistory na báze GaN : dát. obhaj. 23.9.2014, č. ved. odb. 5-2-13