Diagnostika šumových vlastností tranzistorov GaN HEMT : dát. obhaj. 27.8.2014, č. ved. odb. 5-2-13
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Autres auteurs: | |
| Format: | Manuscrit Livre |
| Langue: | slovaque |
| Publié: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2014
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | VAIS |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: Diagnostika šumových vlastností tranzistorov GaN HEMT :
- Elektrická charakterizácia MOS-HFET tranzistorov pripravených na základe GaN
- Robustné senzory tlaku na báze AlGaN/GaN HEMT pre vysokoteplotné aplikácie : dát. obhaj. 23.5.2013, č. ved. odb. 5-2-13
- Meranie a analýza elektrických vlastností tranzistorov typu HEMT
- Návrh spínaného zdroja napätia s GaN tranzistorom
- Charakterizácia vrstiev ZrO2 pre použitie v GaN MOSHFETe
- Vysoko-výkonové normálne-zatvorené spínacie tranzistory na báze GaN : dát. obhaj. 23.9.2014, č. ved. odb. 5-2-13