Príprava a vlastnosti homo- a heteropriechodov na báze InP pre optoelektroniku : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 22.09.1983 /

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Kováč, Jaroslav, 1947- (Verfasst von)
Weitere Verfasser:	Hábovčík, Peter (Betreuung Doktorarbeit)
Format:	Manuskript Buch
Veröffentlicht:	Bratislava : SVŠT v Bratislave EF, 1983
Schlagworte:	elektronika fyzika polovodičov optické vlastnosti polovodičov epitaxiálny rast epitaxné vrstvy optoelektronické prvky
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!

View in STU Opac

MARC


LEADER	00000ntm a22000003a 4500
001	stu4572
005	20150617225814.3
008	------s1983----------------------------d
040			\|a STU \|b slo
041	0
100	1		\|a Kováč, Jaroslav, \|d 1947- \|4 aut \|u E030 \|U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky \|T FEI Ústav elektroniky a fotoniky \|X 2102 \|U E030 \|Y 549 \|7 A000002102
245	1		\|a Príprava a vlastnosti homo- a heteropriechodov na báze InP pre optoelektroniku : \|b Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 22.09.1983 / \|c [aut.] Kováč,Jaroslav, Ing.; Škol. Hábovčík,Peter
260			\|a Bratislava : \|b SVŠT v Bratislave EF, \|c 1983
300			\|a 123 s \|c Autoref.1983, 23 s
650		7	\|a elektronika \|2 stusub
650		7	\|a fyzika polovodičov \|2 stusub
650		7	\|a optické vlastnosti polovodičov \|2 stusub
650		7	\|a epitaxiálny rast \|2 stusub
650		7	\|a epitaxné vrstvy \|2 stusub
650		7	\|a optoelektronické prvky \|2 stusub
700	1		\|a Hábovčík, Peter \|4 ths \|u E210 \|U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky \|T FEI Katedra mikroelektroniky \|U E210 \|Y 68
996			\|b 284ED00488 \|c E*KDIZ-402 \|l EE01 \|s A \|a 24 \|w stu4572_0001