Príprava a vlastnosti homo- a heteropriechodov na báze InP pre optoelektroniku : Kand.diz.práca : V.odb. 26-10-9 : Obh. 22.09.1983 /
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Publicado: |
Bratislava :
SVŠT v Bratislave EF,
1983
|
| Materias: | |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Príprava a vlastnosti homo- a heteropriechodov na báze InP pre optoelektroniku :
- Optoelektronické prvky na báze polovodičových heteroštruktúr InGaAs(P)/InP : Habil.práca : Obh. 12.12.1995 /
- Thermal degradation of ZnO/InP interfaces: heteroepitaxial growth of precipitated indium on InP {111} planes = Tepelná degradácia rozhraní ZnO/InP" preferovaný rast precipitovaného india na rovinách InP {111} : Diz.práca : Obh. 03.07.1996 /
- Základní procesy růstu monokrystalů pro optoelektroniku
- Molekulárna zväzková epitaxia a analyzačná technika RHEED: teória a simulácia = Molecular beam epitaxy and RHEDD technique: theory and simulation : Dizertačná práca : Obh. 16.01.1997 /
- Vybrané problémy technológie a charakterizácie optoelektronických prvkov na báze heteroštruktúr A3B5 a organických polovodičov : Č. ved. odb. 26-13-9. Dát. obhaj. 19.07.2005
- Vybrané problémy technológie organických polovodičov pre optoelektronické aplikácie