Modelovanie kvantovomechanických procesov v degenerovaných polovodičových štruktúrach = Numerical simulation of electrical characteristics of high dopping level semiconductor devices : Dipl.práca
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | , |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
1999
|
| Predmet: | |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
MARC
| LEADER | 00000ntm a22000003a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | stu52734 | ||
| 005 | 20160719164855.0 | ||
| 008 | 000322s1999----xo------------------slo-d | ||
| 040 | |a STU |b slo | ||
| 041 | 0 | |a slo | |
| 044 | |a xo | ||
| 100 | 1 | |a Seifert, Ivan |4 aut | |
| 245 | 1 | |a Modelovanie kvantovomechanických procesov v degenerovaných polovodičových štruktúrach = Numerical simulation of electrical characteristics of high dopping level semiconductor devices : |b Dipl.práca | |
| 260 | |a Bratislava : |b STU v Bratislave FEI, |c 1999 | ||
| 300 | |a 52 s | ||
| 650 | 7 | |a elektronika |2 stusub | |
| 700 | 1 | |a Racko, Juraj, |d 1953- |4 ths |u E030 |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky |X 4226 |U E030 |Y 549 |7 A000004226 | |
| 700 | 1 | |a Drobný, Vladimír |4 ths | |