Light-emitting devices based on ultra-thin GaAs layers in active MQW region = Emitujúce prvky na báze ultratenkých GaAs vrstiev v aktívnej MQW oblasti : V.odb. 26-13-9. Obhajoba 20.12.2000

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Pudiš, Dušan (Verfasst von)
Weitere Verfasser:	Kováč, Jaroslav, 1947- (Betreuung Doktorarbeit)
Format:	Manuskript Buch
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2000
Schlagworte:	elektronika optoelektronika fyzika polovodičov polovodičové štruktúry polovodičové materiály LED GaAs
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!

View in STU Opac

MARC


LEADER	00000ntm a22000003a 4500
001	stu75800
005	20160719164807.5
008	020521s2000------------------------eng-d
040			\|a STU \|b slo
041	0		\|a eng
080			\|a 538.971
080			\|a 621.315.592
100	1		\|a Pudiš, Dušan \|4 aut
245	1		\|a Light-emitting devices based on ultra-thin GaAs layers in active MQW region = Emitujúce prvky na báze ultratenkých GaAs vrstiev v aktívnej MQW oblasti : \|b V.odb. 26-13-9. Obhajoba 20.12.2000
260			\|a Bratislava : \|b STU v Bratislave FEI, \|c 2000
300			\|a 107 s
650		7	\|a elektronika \|2 stusub
650		7	\|a optoelektronika \|2 stusub
650		7	\|a fyzika polovodičov \|2 stusub
650		7	\|a polovodičové štruktúry \|2 stusub
650		7	\|a polovodičové materiály \|2 stusub
650		7	\|a LED \|2 stusub
650		7	\|a GaAs \|2 stusub
700	1		\|a Kováč, Jaroslav, \|d 1947- \|4 ths \|u E030 \|U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky \|T FEI Ústav elektroniky a fotoniky \|X 2102 \|U E030 \|Y 549 \|7 A000002102
996			\|b 284ED00047 \|c E*PGŠ-807 \|l EE01 \|s A \|a 24 \|w stu75800_0001