Návrh zosilňovača triedy D s GaN HEMT tranzistormi
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Lenguaje: | eslovaco |
| Publicado: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2025
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildKEF1KH&sid=8D80AD18777FCC7F6CB2BD4DC29E&seo=CRZP-detail-kniha |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Návrh zosilňovača triedy D s GaN HEMT tranzistormi
- Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Elektrická charakterizácia MOS-HEMT štruktúr na báze GaN
- Nové technológie a ich využitie v GaN HEMT tranzistoroch : dát. obhaj. 30.11.2016, č. ved. odboru 5-2-13
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Návrh DC-DC meniča s GaN HEMT
- Nízkofrekvenčný výkonový zosilňovač v triede D 57 s., príl.,