Optimalizácia ohmických kontaktov pre InAlN/GaN tranzistory
Na minha lista:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Outros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Livro |
| Idioma: | eslovaco |
| Publicado em: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2025
|
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildAEEH9L&sid=BA75C2D62745AD5727EF919ED92F&seo=CRZP-detail-kniha |
| Tags: |
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|
Registos relacionados: Optimalizácia ohmických kontaktov pre InAlN/GaN tranzistory
- Modelovanie robustného senzora tlaku na báze progresívnych polovodičových materiálov
- Robustné senzory tlaku na báze AlGaN/GaN HEMT pre vysokoteplotné aplikácie : dát. obhaj. 23.5.2013, č. ved. odb. 5-2-13
- Dynamická simulácia MEMS piezoelektrického tlakového senzora
- AlGaN/Gan Hemt pre senzorické aplikácie : Dát. obhaj. 24.2.2010, č. ved. odb. 5.2.13
- Návrh vysokotlakových senzorov na báze AlGaN/GaN HEMT snímacích štruktúr : dát. obhaj. 20.8.0215, č. ved. odb. 5-2-13
- Distribúcia elektricky aktívnych porúch v moderných polovodičových prvkoch na báze GaN