Návrh vysokotlakových senzorov na báze AlGaN/GaN HEMT snímacích štruktúr : dát. obhaj. 20.8.0215, č. ved. odb. 5-2-13
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | |
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Lingua: | slovacco inglese |
| Pubblicazione: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2015
|
| Soggetti: | |
| Accesso online: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=94436 |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi: Návrh vysokotlakových senzorov na báze AlGaN/GaN HEMT snímacích štruktúr :
- Robustné senzory tlaku na báze AlGaN/GaN HEMT pre vysokoteplotné aplikácie : dát. obhaj. 23.5.2013, č. ved. odb. 5-2-13
- AlGaN/Gan Hemt pre senzorické aplikácie : Dát. obhaj. 24.2.2010, č. ved. odb. 5.2.13
- SIMS analýza perspektívnych metalizácií AlGaN/GaN štruktúr
- Elektrická charakterizácia Schottkyho štruktúr s heteropriechodom AlGaN/GaN : dát. obhaj. 11.4.2013, č. ved. odb. 5-2-13
- Modelovanie robustného senzora tlaku na báze progresívnych polovodičových materiálov
- Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín