Effect of different Si doping on the defects distribution in the GaN-based structures
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Autres auteurs: | |
| Format: | Manuscrit Livre |
| Langue: | slovaque anglais |
| Publié: |
2018
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=137499 |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: Effect of different Si doping on the defects distribution in the GaN-based structures
- Skúmanie kvality polovodičových štruktúr na báze InAlGaN/GaN
- Skúmanie kvality polovodičových štruktúr na báze GaN
- Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Analýza emisných a záchytných procesov v tranzistoroch s vysokou pohyblivosťou náboja na báze nitridu gália
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v štruktúrach na báze GaN spektroskopiou hlbokých hladín