Effect of different Si doping on the defects distribution in the GaN-based structures
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | |
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Lingua: | slovacco inglese |
| Pubblicazione: |
2018
|
| Soggetti: | |
| Accesso online: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=137499 |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi: Effect of different Si doping on the defects distribution in the GaN-based structures
- Skúmanie kvality polovodičových štruktúr na báze InAlGaN/GaN
- Skúmanie kvality polovodičových štruktúr na báze GaN
- Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Analýza emisných a záchytných procesov v tranzistoroch s vysokou pohyblivosťou náboja na báze nitridu gália
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v štruktúrach na báze GaN spektroskopiou hlbokých hladín