Skúmanie emisných a záchytných procesov v štruktúrach na báze GaN spektroskopiou hlbokých hladín
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
2019
|
| Predmet: | |
| On-line prístup: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=143732 |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Skúmanie emisných a záchytných procesov v štruktúrach na báze GaN spektroskopiou hlbokých hladín
- Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Skúmanie porúch v moderných polovodičových materiáloch
- Analýza porúch v polovodičových štruktúrach na báze SiC
- Effect of different Si doping on the defects distribution in the GaN-based structures
- Skúmanie porúch v moderných tranzistorových štruktúrach pre výkonové aplikácie