Skúmanie emisných a záchytných procesov v štruktúrach na báze GaN spektroskopiou hlbokých hladín
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Manuskript Buch |
| Sprache: | Slowakisch |
| Veröffentlicht: |
2019
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=143732 |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge: Skúmanie emisných a záchytných procesov v štruktúrach na báze GaN spektroskopiou hlbokých hladín
- Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Skúmanie porúch v moderných polovodičových materiáloch
- Analýza porúch v polovodičových štruktúrach na báze SiC
- Effect of different Si doping on the defects distribution in the GaN-based structures
- Skúmanie porúch v moderných tranzistorových štruktúrach pre výkonové aplikácie