Návrh zdroja na budenie GaN tranzistorov
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Autres auteurs: | |
| Format: | Manuscrit Livre |
| Langue: | slovaque |
| Publié: |
2018
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=116196 |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: Návrh zdroja na budenie GaN tranzistorov
- Použitie GaN tranzistorov v 60W DC/DC meniči pre železničné aplikácie
- Návrh spínaného zdroja napätia s GaN tranzistorom
- Meranie výkonových GaN tranzistorov v podmienkach skratu
- Tvarovanie GaN mokrým chemickým leptaním
- Robustné senzory tlaku na báze AlGaN/GaN HEMT pre vysokoteplotné aplikácie : dát. obhaj. 23.5.2013, č. ved. odb. 5-2-13
- Elektrická charakterizácia Schottkyho štruktúr s heteropriechodom AlGaN/GaN : dát. obhaj. 11.4.2013, č. ved. odb. 5-2-13