Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
Na minha lista:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Outros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Livro |
| Idioma: | eslovaco |
| Publicado em: |
Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2020
|
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=2DE4D0DBB221E90D1189F9BEC259&seo=CRZP-detail-kniha |
| Tags: |
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|
Registos relacionados: Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v štruktúrach na báze GaN spektroskopiou hlbokých hladín
- Elektrická charakterizácia MOS-HEMT štruktúr na báze GaN
- Skúmanie kvality polovodičových štruktúr na báze InAlGaN/GaN
- Effect of different Si doping on the defects distribution in the GaN-based structures
- Identifikácia porúch v polovodičových štruktúrach na báze AlGaN/GaN