Príprava a charakterizácia NiO/Ga2O3 heteroštruktúr pre realizáciu UV fotodiód
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Lenguaje: | eslovaco |
| Publicado: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2021
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=1D055279E2D1258CB57A2A1E7F1A&seo=CRZP-detail-kniha |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Príprava a charakterizácia NiO/Ga2O3 heteroštruktúr pre realizáciu UV fotodiód
- GaAs-based MOS structures : dát. obhaj. 3.12.2015, č. ved. odb. 5-2-13
- Charakterizácia MOS heteroštruktúr na báze GaN pre bezpečné obohacovacie tranzistory
- Mikrosenzor plynu na báze tenkých kovových oxidov
- Mezoporézne perovskitové solárne články s uhlíkovou zadnou elektródou
- Charakterizácia viacprvkových zliatin na báze Ga-Co-Cu-Ni-Fe s rôznym pomerom atómov
- Sledovanie emisných a záchytných procesov v InGaAsN/GaAs heteroštruktúrach