Meranie výkonových GaN tranzistorov v podmienkach skratu
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Lenguaje: | eslovaco |
| Publicado: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2021
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=38F43C5054BC4F7F2BBAC0F31F28&seo=CRZP-detail-kniha |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Meranie výkonových GaN tranzistorov v podmienkach skratu
- Návrh zdroja na budenie GaN tranzistorov
- Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- SIMS analýza perspektívnych metalizácií AlGaN/GaN štruktúr
- Distribúcia elektricky aktívnych porúch v moderných polovodičových prvkoch na báze GaN
- Meranie a charakterizácia energetickej odolnosti moderných výkonových elektronických prvkov zaťažených UIS a SC testom : dátum obhajoby 25.8.2023
- Elektrická charakterizácia MOS-HEMT štruktúr na báze GaN