Analýza emisných a záchytných procesov v tranzistoroch s vysokou pohyblivosťou náboja na báze nitridu gália
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Manuskript Buch |
| Sprache: | Slowakisch |
| Veröffentlicht: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2023
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildG2NI4&sid=A5BC586C45F5195261E728AF963A&seo=CRZP-detail-kniha |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge: Analýza emisných a záchytných procesov v tranzistoroch s vysokou pohyblivosťou náboja na báze nitridu gália
- Skúmanie porúch v moderných polovodičových materiáloch pre 5G sieť
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Distribúcia elektricky aktívnych porúch v moderných polovodičových prvkoch na báze GaN
- Skúmanie porúch v moderných tranzistorových štruktúrach pre 5G sieť
- Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Skúmanie kvality polovodičových štruktúr na báze InAlGaN/GaN