Skúmanie elektrofyzikálnych vlastností polovodičových progresívnych prvkov na báze GaN : dátum obhajoby 28.8.2025
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2025
|
| Predmet: | |
| On-line prístup: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildGBSJP&sid=8DA48F56075EEA6F770E5E16AB9C&seo=CRZP-detail-kniha |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Skúmanie elektrofyzikálnych vlastností polovodičových progresívnych prvkov na báze GaN :
- Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Distribúcia elektricky aktívnych porúch v moderných polovodičových prvkoch na báze GaN
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Skúmanie porúch v moderných polovodičových materiáloch pre 5G sieť
- Analýza emisných a záchytných procesov v tranzistoroch s vysokou pohyblivosťou náboja na báze nitridu gália
- Skúmanie kvality polovodičových štruktúr na báze InAlGaN/GaN