SIMS analýza perspektívnych metalizácií AlGaN/GaN štruktúr
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | |
| Format: | Manuskript Buch |
| Sprache: | Slowakisch |
| Veröffentlicht: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2023
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildA6QQ6&sid=72C4190EA10FC8F71DD206D508EF&seo=CRZP-detail-kniha |
| Tags: |
Keine Tags, Fügen Sie das erste Tag hinzu!
|
Ähnliche Einträge: SIMS analýza perspektívnych metalizácií AlGaN/GaN štruktúr
- Robustné senzory tlaku na báze AlGaN/GaN HEMT pre vysokoteplotné aplikácie : dát. obhaj. 23.5.2013, č. ved. odb. 5-2-13
- AlGaN/Gan Hemt pre senzorické aplikácie : Dát. obhaj. 24.2.2010, č. ved. odb. 5.2.13
- Návrh vysokotlakových senzorov na báze AlGaN/GaN HEMT snímacích štruktúr : dát. obhaj. 20.8.0215, č. ved. odb. 5-2-13
- Modelovanie robustného senzora tlaku na báze progresívnych polovodičových materiálov
- Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Distribúcia elektricky aktívnych porúch v moderných polovodičových prvkoch na báze GaN